Спосіб одержання тонкої плівки Cu₂ZnSnSe₄, який включає нанесення на підкладку плівки за допомогою магнетронного напилення з мішеней Zn, Sn, Сu та подальшого відпалу протягом 15 хвилин в парах селену, який відрізняється тим, що для нанесення плівки за допомогою реактивного магнетронного напилення при постійній напрузі використовують мішень Cu₂ZnSn стехіометричного складу, а процес селенізації проводять при 450 °C.